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NTD3055L170T4G

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON)

文件:723.57 Kbytes 页数:5 Pages

BYCHIP

百域芯

NTD3055-094

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:674.91 Kbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

NTD3055-094

Power MOSFET 12 A, 60 V

文件:76.61 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD3055-094

Power MOSFET 12 A, 60 V, N?묬hannel DPAK / IPAK

文件:135.47 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD3055-094-1

Power MOSFET 12 A, 60 V

文件:76.61 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD3055-094-1G

Power MOSFET 12 A, 60 V

文件:76.61 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD3055-094-1G

Power MOSFET 12 A, 60 V, N?묬hannel DPAK / IPAK

文件:135.47 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD3055-094-1G

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:960.09 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD3055-094G

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.00403 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD3055-094G

Power MOSFET 12 A, 60 V

文件:76.61 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTD3055

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 12A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NTD3055供应商 更新时间2026-3-13 13:36:00