选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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ON(安森美)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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原装NA |
35607 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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SOP |
27995 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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ON/安森美TO-252 |
7500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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ON185 |
1715 |
DPAK |
只做原装正品,现货 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
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ONSemiTO-252-3 |
13725 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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ONTO-252 |
6000 |
23+ |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO252 |
118 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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ONSemiTO-252-3 |
10000 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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ON/安森美TO252 |
7906200 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
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ON/安森美TO-252 |
12800 |
22+ |
本公司只做原装,特价出售! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-252 |
5511 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市盈盛科创科技有限公司9年
留言
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ONTO252 |
6021 |
22+ |
全新原装正品 现货 优势供应 |
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深圳宝隆芯业科技有限公司4年
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ONSEMINA |
22521 |
2022+ |
原厂原装 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
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ON/安森美TO-252 |
8000 |
2122+ |
原装正品 假一罚十 公司现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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ONTO-252 |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
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ONSOT23 |
2500 |
21+ |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
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ON(安森美)TO-252-2 |
25900 |
23+ |
新到现货,只有原装 |
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深圳信泰电子器材有限公司10年
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ONTO-252 |
2500 |
21+ |
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深圳市云迪科技有限公司7年
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ONSOT-252 |
10000 |
22+ |
原装正品现货优势供应 |
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NTD3055L104T4G中文资料Alldatasheet PDF
更多NTD3055-094功能描述:MOSFET 60V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD3055-094/D功能描述:Power MOSFET 12 Amps, 60 Volts
NTD3055-094-1功能描述:MOSFET 60V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD3055-094-1G功能描述:MOSFET 60V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD3055-094G功能描述:MOSFET 60V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD3055-094T4功能描述:MOSFET 60V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD3055-094T4G功能描述:MOSFET 60V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD3055-150功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD3055-150/D功能描述:Power MOSFET 9.0 Amps, 60 Volts
NTD3055-150-1功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube