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NTD25P03LG	文件：408.79 Kbytes Page：7 Pages	丝印：25P03L；Package：TO-252；P-Channel -30V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) = -30V RDS(ON) 文件：408.79 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
NTD25P03LG	文件：74.3 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：74.3 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD25P03LG	文件：160.39 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET -25 Amp, -30 Volt 文件：160.39 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD25P03LG	文件：1.01486 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01486 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
NTD25P03LG
功能描述：
MOSFET -30V -25A P-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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