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NTD3055L170T4	文件：93.68 Kbytes Page：8 Pages	9.0 Amps, 60 Volts, Logic Level, N?묬hannel DPAK 文件：93.68 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD3055L170T4G	文件：723.57 Kbytes Page：5 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON) 文件：723.57 Kbytes 页数：5 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
NTD3055L170T4G	文件：93.68 Kbytes Page：8 Pages	9.0 Amps, 60 Volts, Logic Level, N?묬hannel DPAK 文件：93.68 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD3055L170T4G	文件：125.02 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：125.02 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD3055L170T4G	文件：133.3 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：133.3 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD3055L170T4G	文件：1.00401 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.00401 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
NTD3055L170T4
功能描述：
MOSFET 60V 9A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多NTD3055L170T4供应商更新时间2025-12-24 14:00:00

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