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NTD32N06LT4G

Power MOSFET 32 Amps, 60 Volts

文件:103.98 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD32N06LT4G

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:896.96 Kbytes 页数:6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD32N06LT4

Power MOSFET 32 Amps, 60 Volts

文件:103.98 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD32N06LT4

Power MOSFET 32 Amps, 60 Volts, Logic Level(N-Channel DPAK)

文件:66.42 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTD32N06LT4G

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 32A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ONSEMI/安森美
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TO252
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