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NTD4810N	文件：299.08 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 54A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 10mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.08 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTD4810N	文件：157.71 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：157.71 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD4810N	文件：299.66 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 30 V, 54 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK 文件：299.66 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD4810N-1	文件：317.5 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 54A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 10mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：317.5 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTD4810N_11	文件：157.71 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：157.71 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD4810N-1G	文件：959.94 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：959.94 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTD4810N-1G	文件：299.66 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 30 V, 54 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK 文件：299.66 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD4810N-35G	文件：299.66 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 30 V, 54 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK 文件：299.66 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD4810N-35G	文件：959.94 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：959.94 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTD4810NH	文件：89.37 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 30 V, 54 A, Single N?묬hannel, DPAK/IPAK 文件：89.37 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
NTD4810N
制造商：
ONSEMI
制造商全称：
ON Semiconductor
功能描述：
Power MOSFET 30 V, 54 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK

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