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NSVF6001SB6T1G	文件：873.32 Kbytes Page：7 Pages	RF Transistor 12 V, 100 mA, fT = 6.7 GHz, NPN Single 文件：873.32 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSVF6001SB6T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
NSVF6001SB6T1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
6.7GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.1dB @ 1GHz
增益：
11dB
功率 - 最大值：
800mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
90 @ 30mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：
6-CPH
描述：
RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6

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