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NSVF6001SB6T1G分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NSVF6001SB6T1G |
| 参数属性 | NSVF6001SB6T1G 封装/外壳为SOT-23-6 细型，TSOT-23-6；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6 |
| 功能描述 | RF Transistor 12 V, 100 mA, fT = 6.7 GHz, NPN Single |
| 封装外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 文件大小 |
873.32 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-5 20:00:00 |
| 人工找货 | NSVF6001SB6T1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NSVF6001SB6T1G规格书详情
NSVF6001SB6T1G属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由安森美半导体制造生产的NSVF6001SB6T1G晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号：
NSVF6001SB6T1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
6.7GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.1dB @ 1GHz
- 增益：
11dB
- 功率 - 最大值：
800mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
90 @ 30mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 供应商器件封装：
6-CPH
- 描述：
RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
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