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NSVF6001SB6T1G分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

NSVF6001SB6T1G
厂商型号

NSVF6001SB6T1G

参数属性

NSVF6001SB6T1G 封装/外壳为SOT-23-6 细型,TSOT-23-6;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6

功能描述

RF Transistor 12 V, 100 mA, fT = 6.7 GHz, NPN Single
RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6

封装外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

文件大小

873.32 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-2 23:00:00

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NSVF6001SB6T1G规格书详情

NSVF6001SB6T1G属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由安森美半导体公司制造生产的NSVF6001SB6T1G晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NSVF6001SB6T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    6.7GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益:

    11dB

  • 功率 - 最大值:

    800mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    90 @ 30mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

  • 供应商器件封装:

    6-CPH

  • 描述:

    RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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