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NSVF6001SB6T1G分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
NSVF6001SB6T1G |
参数属性 | NSVF6001SB6T1G 封装/外壳为SOT-23-6 细型,TSOT-23-6;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6 |
功能描述 | RF Transistor 12 V, 100 mA, fT = 6.7 GHz, NPN Single |
封装外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
文件大小 |
873.32 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ONSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-2 23:00:00 |
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NSVF6001SB6T1G规格书详情
NSVF6001SB6T1G属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由安森美半导体公司制造生产的NSVF6001SB6T1G晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号:
NSVF6001SB6T1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
12V
- 频率 - 跃迁:
6.7GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.1dB @ 1GHz
- 增益:
11dB
- 功率 - 最大值:
800mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
90 @ 30mA,5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
100mA
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- 供应商器件封装:
6-CPH
- 描述:
RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
CPH-6 |
3022 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
24+ |
CPH-6 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
ON |
22+ |
NA |
20644 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
NA |
275000 |
一级代理原装正品,价格优势,长期供应! |
询价 | |||
ON/安森美 |
2450+ |
8540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | |||
onsemi |
2023+ |
QFN |
5939 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
24000 |
原装正品现货,实单可谈,量大价优 |
询价 | |||
ON |
23+ |
22+ |
8000 |
只做原装现货 |
询价 |