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NSVF3007SG3分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NSVF3007SG3 |
| 参数属性 | NSVF3007SG3 封装/外壳为SOT-23-3 扁平引线；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH |
| 功能描述 | RF Transistor |
| 封装外壳 | SOT-23-3 扁平引线 |
| 文件大小 |
491.52 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 10:11:00 |
| 人工找货 | NSVF3007SG3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NSVF3007SG3规格书详情
NSVF3007SG3属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由安森美半导体公司制造生产的NSVF3007SG3晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号：
NSVF3007SG3T1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
8GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.8dB @ 1GHz
- 增益：
12dB
- 功率 - 最大值：
350mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 5mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-23-3 扁平引线
- 供应商器件封装：
SC-70FL/MCPH3
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ON |
24+ |
N/A |
8000 |
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询价 | ||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
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询价 | ||
24+ |
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ON(安森美) |
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ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
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ON(安森美) |
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标准封装 |
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SC70FL |
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ON/安森美 |
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