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NSVF3007SG3	文件：491.52 Kbytes Page：10 Pages	RF Transistor 文件：491.52 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSVF3007SG3	文件：491.72 Kbytes Page：10 Pages	RF Transistor for Low Noise Amplifier 文件：491.72 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSVF3007SG3	文件：300 bytes Page：1 Pages	用于低噪声放大器的 RF 晶体管 This RF transistor is designed for low noise amplifier applications. MCPH package is suitable for use under high temperature environment because it has superior heat radiation characteristics. This RF transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. • Low-noise use : NF = 1.2 dB (typ) [f = 1 GHz]\n• Realize the clear signal amplification\n• High cut-off frequency : fT = 8 GHz (typ) [VCE = 5 V]\n• Aveirable forhigh frequency application\n• High gain : \|S21e\|2 = 12 dB (typ) [f = 1 GHz]\n• Useful for the reception of the small signal\n• AEC-Q101 q;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSVF3007SG3_17	文件：491.52 Kbytes Page：10 Pages	RF Transistor 文件：491.52 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSVF3007SG3T1G	文件：491.72 Kbytes Page：10 Pages	RF Transistor for Low Noise Amplifier 文件：491.72 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSVF3007SG3T1G	文件：491.52 Kbytes Page：10 Pages	RF Transistor 文件：491.52 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSVF3007SG3T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-23-3 扁平引线；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
IC Continuous (A)：
0.03
VCEO(sus) Min (V)：
12
hFE Min：
60
hFE Max：
150
PTM Max (W)：
0.35
fT Min (MHz)：
6000
NF Typ. (dB)：
1.2
2 Typ. (dB)：
12
Package Type：
SC-70FL/MCPH-3

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