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NSVF3007SG3T1G	文件：491.72 Kbytes Page：10 Pages	RF Transistor for Low Noise Amplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NSVF3007SG3T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：SOT-23-3 扁平引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NSVF3007SG3T1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
8GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.8dB @ 1GHz
增益：
12dB
功率 - 最大值：
350mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 5mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-23-3 扁平引线
供应商器件封装：
SC-70FL/MCPH3
描述：
RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH

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