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NSVF4009SG4

RF Transistor for Low Noise Amplifier

文件:724 Kbytes 页数:14 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSVF4009SG4

用于低噪声放大器的 RF 晶体管

This RF transistor is designed for low noise amplifier applications. MCPH package is suitable for use under high temperature environment because it has superior heat radiation characteristics. This RF transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. • Low-noise use : NF = 1.1 dB (typ) [f = 2 GHz]\n• Realize the clear signal amplification\n• High cut-off frequency : fT = 25 GHz (typ) [VCE = 3 V]\n• Available forhigh frequency application\n• High gain : |S21e|2 = 17 dB (typ) [f = 2 GHz]\n• Useful for the reception of the small signal\n• AEC-Q101 ;

ONSEMI

安森美半导体

NSVF4009SG4T1G

RF Transistor for Low Noise Amplifier

文件:724 Kbytes 页数:14 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSVF4009SG4T1G

Package:4-SMD,扁平引线;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ SC82FL/

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Polarity:

    NPN

  • IC Continuous (A):

    0.04

  • VCEO(sus) Min (V):

    3.5

  • hFE Min:

    50

  • hFE Max:

    120

  • PTM Max (W):

    0.12

  • fT Min (MHz):

    20000

  • NF Typ. (dB):

    1.1

  • 2 Typ. (dB):

    13.5

  • Package Type:

    SC-82FL/MCPH-4

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