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NSVF4015SG4T1G分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
NSVF4015SG4T1G |
参数属性 | NSVF4015SG4T1G 封装/外壳为4-SMD,扁平引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/ |
功能描述 | RF Transistor for Low Noise Amplifier |
文件大小 |
843.87 Kbytes |
页面数量 |
12 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-20 23:26:00 |
NSVF4015SG4T1G规格书详情
NSVF4015SG4T1G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。安森美半导体公司制造生产的NSVF4015SG4T1G晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号:
NSVF4015SG4T1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
12V
- 频率 - 跃迁:
10GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.2dB @ 1GHz
- 增益:
17dB
- 功率 - 最大值:
450mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
60 @ 50mA,5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
100mA
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
4-SMD,扁平引线
- 供应商器件封装:
SC-82FL/MCPH4
- 描述:
RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor |
23+ |
NA |
7135 |
三极管 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
询价 | ||||
onsemi(安森美) |
23+ |
SC82FL |
6000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
SC-82FL |
3022 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
ON |
24+ |
SC-82FL / MCPH-4 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
N/A |
18000 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
标准封装 |
58998 |
一级代理原装正品现货期货均可订购 |
询价 | |||
onsemi |
24+ |
4-SMD,扁平引线 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
NA |
25630 |
原装正品 |
询价 |