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NSVF4015SG4T1G分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

NSVF4015SG4T1G
厂商型号

NSVF4015SG4T1G

参数属性

NSVF4015SG4T1G 封装/外壳为4-SMD,扁平引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/

功能描述

RF Transistor for Low Noise Amplifier
RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/

文件大小

843.87 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-20 23:26:00

NSVF4015SG4T1G规格书详情

NSVF4015SG4T1G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。安森美半导体公司制造生产的NSVF4015SG4T1G晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NSVF4015SG4T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    10GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.2dB @ 1GHz

  • 增益:

    17dB

  • 功率 - 最大值:

    450mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 50mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    SC-82FL/MCPH4

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON Semiconductor
23+
NA
7135
三极管
询价
三年内
1983
纳立只做原装正品13590203865
询价
onsemi(安森美)
23+
SC82FL
6000
诚信服务,绝对原装原盘
询价
onsemi(安森美)
23+
SC-82FL
3022
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
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ON
24+
SC-82FL / MCPH-4
25000
ON全系列可订货
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ON
21+
NA
3000
进口原装 假一罚十 现货
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ON/安森美
22+
N/A
18000
现货,原厂原装假一罚十!
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ON/安森美
标准封装
58998
一级代理原装正品现货期货均可订购
询价
onsemi
24+
4-SMD,扁平引线
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
询价
ON/安森美
23+
NA
25630
原装正品
询价