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P-306-DB	文件：60.61 Kbytes Page：2 Pages	MultipleDensitySolderEyelet	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
P-306-LAB	文件：308.05 Kbytes Page：7 Pages	[.050”(1.27mm)DensitySolderCup/WireD-Microminiature]MultipleDensitySolderEyeletWithAngleBracket/LessAngleBracket	Cinch CinchConnectivitySolutions	Cinch
PBPC306	文件：51.17 Kbytes Page：2 Pages	3.0ABRIDGERECTIFIER Features •HighCurrentCapability •SurgeOverloadRatingto50APeak •HighCaseDielectricStrengthof1500V •IdealforPrintedCircuitBoardApplication •ULListedUnderRecognizedComponentIndex,FileNumberE94661	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PBSS306NX	文件：155.32 Kbytes Page：15 Pages	100V,4.5ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT89(SC-62/TO-243)smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS306PX. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapabili	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS306NX	文件：333.32 Kbytes Page：16 Pages	100V,4.5ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS306NZ	文件：308.19 Kbytes Page：15 Pages	100V,5.1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS306NZ-Q	文件：294.41 Kbytes Page：14 Pages	100V,5.1ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT223(SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS306PZ-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highcollectorc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS306PX	文件：329.43 Kbytes Page：16 Pages	100V,3.7APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS306PZ	文件：122.63 Kbytes Page：14 Pages	100V,4.1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT223(SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS306NZ. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Hig	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS306PZ	文件：915.2 Kbytes Page：15 Pages	100V,4.1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Lowcollector-emittersaturation voltageVCEsat Highcollectorcurrentcapability ICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)at highIC Highefficiencyduetolessheat generation SmallerPrinted-CircuitBoard(PCB) areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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