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PBSS306PX	文件：329.43 Kbytes Page：16 Pages	Marking：5N；Package：SC-62；100 V, 3.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS306PX_15	文件：1.75985 Mbytes Page：6 Pages	PNP Transistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
PBSS306PX,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 100V 3.7A SOT89	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS306PZ	文件：122.63 Kbytes Page：14 Pages	100V,4.1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT223(SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS306NZ. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Hig	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS306PZ	文件：915.2 Kbytes Page：15 Pages	100V,4.1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Lowcollector-emittersaturation voltageVCEsat Highcollectorcurrentcapability ICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)at highIC Highefficiencyduetolessheat generation SmallerPrinted-CircuitBoard(PCB) areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS306PZ-Q	文件：290.03 Kbytes Page：14 Pages	100V,4.1APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT223(SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS306NZ-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highcollectorc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBY306	文件：160.63 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-PowerRectifiers Silicon-PowerRectifiers •Nominalcurrent35A •Repetitivepeakreversevoltage50~1000V •MetalcaseDO-5 •Weightapprox.6g •Standardpolarity:Cathodetostud •IndexR:Anodetostud •Standardpackaging:bulk	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
PBY306	文件：129.13 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-Power-Rectifiers	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
PCH-W306	文件：96.02 Kbytes Page：1 Pages	4-slotWallmountChassis	PROTECHSYSTEMS Protech Systems Co., Ltd.	PROTECHSYSTEMS
PE306	文件：234.48 Kbytes Page：4 Pages	SMAFemaletoNMalePrecisionCableUsing160SeriesCoax,RoHS	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK

详细参数

型号：
PBSS306PX
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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