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NP100N055PUK_V01

文件：268.66 Kbytes

Page：8 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.25mMAX.(VGS=10V,ID=50A) LowCiss:Ciss=4900pFTYP.(VDS=25V) DesignedforautomotiveapplicationandAEC-Q101qualified

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