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RLPGB30N60CT	文件：667.31 Kbytes Page：6 Pages	IGBT Features 600V,30A VCE(sat)(typ.)=1.9V@VGE=15V,IC=30A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms GeneralDescription TrenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasSMPS,generalinverter andothersoftswitchingapp	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
SGB30N60	文件：425.17 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SGB30N60	文件：382.42 Kbytes Page：11 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SGH30N60RUF	文件：565.84 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGH30N60RUFD	文件：653.69 Kbytes Page：8 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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SGP30N60HS	文件：389.58 Kbytes Page：12 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration HighSpeedIGBTinNPT-technology •30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforoperationabove30kHz •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SGP30N60HS	文件：76.27 Kbytes Page：4 Pages	HIGHTSPEEDIGBTCHIPINNPT-TECHNOLOGY	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

产品属性

产品编号：
NGTB30N60FLWG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
散装
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，30A
开关能量：
700µJ（开），280µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
83ns/170ns
测试条件：
400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247
描述：
IGBT 600V 60A 250W TO247

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更多NGTB30N60FLWG供应商更新时间2025-7-22 10:12:00

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