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SGH30N60RUFD	文件：300 bytes Page：1 Pages	分离，短路额定 IGBT，带二极管安森美半导体的 RUFD 系列绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 提供低导通和开关损耗以及短路耐受性。RUFD 系列适用于电机控制、不中断电源 (UPS) 和通用逆变器等短路耐受性为必需特性的应用。 •短路额定10us @ TC = 100°C，V GE = 15V\n•高速开关\n•低饱和电压： V CE(sat) = 2.2 V @ IC = 30A\n•高输入阻抗\n•CO-PAK、IGBT及FRD： t rr = 50ns（典型值）;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SGH30N60RUFD	文件：653.69 Kbytes Page：8 Pages	Short Circuit Rated IGBT 文件：653.69 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
SGH30N60RUFDTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 48A 235W TO3P	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SGP30N60	文件：425.17 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology 文件：425.17 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SGP30N60	文件：335.72 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology 文件：335.72 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SGP30N60	文件：367.38 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology 文件：367.38 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

更多SGH30N60RUFD供应商更新时间2026-2-2 9:38:00