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SGP30N60	文件：425.17 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology 文件：425.17 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SGP30N60	文件：335.72 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology 文件：335.72 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SGP30N60	文件：367.38 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology 文件：367.38 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SGP30N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立式IGBT Infineon provides a huge IGBT portfolio addressing Soft Switching/Resonant and Hard Switching Topologies. ·30% lower E off compared to previous generation\n ·Short circuit withstand time – 10μs\n ·Designed for operation above 30kHz\n ·High ruggedness, temperature stable behaviour\n ·Pb-free lead plating; RoHS compliant\n ·Qualified according to JEDEC for target applications;	Infineon 英飞凌	Infineon
SGP30N60HS	文件：389.58 Kbytes Page：12 Pages	丝印：G30N60HS；Package：PG-TO-220-3-1；High Speed IGBT in NPT-technology 30 lower Eoff compared to previous generation High Speed IGBT in NPT-technology • 30 lower Eoff compared to previous generation • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for operation above 30 kHz • NPT-Technology for 600V applications offers: - parallel switching capability - moderate Eoff increase with temperature - very tigh 文件：389.58 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SGP30N60HS_09	文件：389.58 Kbytes Page：12 Pages	High Speed IGBT in NPT-technology 30 lower Eoff compared to previous generation High Speed IGBT in NPT-technology • 30 lower Eoff compared to previous generation • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for operation above 30 kHz • NPT-Technology for 600V applications offers: - parallel switching capability - moderate Eoff increase with temperature - very tigh 文件：389.58 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SGP30N60_08	文件：335.72 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology 文件：335.72 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SGP30N60_09	文件：367.38 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology 文件：367.38 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SGP30N60HS	文件：76.27 Kbytes Page：4 Pages	HIGHT SPEED IGBT CHIP IN NPT-TECHNOLOGY 文件：76.27 Kbytes 页数：4 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SGP30N60HS	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立式IGBT Infineon provides a huge IGBT portfolio addressing Soft Switching/Resonant and Hard Switching Topologies. ·30% lower E off compared to previous generation\n ·Short circuit withstand time – 10μs\n ·Designed for operation above 30kHz\n ·High ruggedness, temperature stable behaviour\n ·Pb-free lead plating; RoHS compliant\n ·Qualified according to JEDEC for target applications;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Switching Frequency min max：
10.0kHz 40.0kHz
Package ：
TO-220
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
30.0A
IC(@25°) max：
41.0A
ICpuls max：
112.0A
Ptot max：
250.0W
VCE(sat) ：
2.5V
Eon ：
0.98mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.92mJ
td(on) ：
44.0ns
tr ：
34.0ns
td(off) ：
324.0ns
tf ：
67.0ns
QGate ：
140.0nC
VCE max：
600.0V
Switching Frequency ：
Fast IGBT 10-40 kHz

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更多SGP30N60供应商更新时间2025-10-4 10:02:00

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