SGH30N60RUFD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号	SGH30N60RUFD
参数属性	SGH30N60RUFD 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 48A 235W TO3P
功能描述	分离，短路额定 IGBT，带二极管 IGBT 600V 48A 235W TO3P
封装外壳	TO-3P-3，SC-65-3
制造商	ONSEMI ON Semiconductor
中文名称	安森美半导体安森美半导体公司
数据手册	原厂下载下载地址下载地址二
更新时间	2025-8-7 11:40:00
人工找货	SGH30N60RUFD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

SGH30N60RUFD规格书详情

描述 Description

安森美半导体的 RUFD 系列绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 提供低导通和开关损耗以及短路耐受性。RUFD 系列适用于电机控制、不中断电源 (UPS) 和通用逆变器等短路耐受性为必需特性的应用。

特性 Features

•短路额定10us @ TC = 100°C，V GE = 15V
•高速开关
•低饱和电压： V CE(sat) = 2.2 V @ IC = 30A
•高输入阻抗
•CO-PAK、IGBT及FRD： t rr = 50ns（典型值）

应用 Application

• 工业级电机

简介

SGH30N60RUFD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的SGH30N60RUFD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

产品编号：
SGH30N60RUFDTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，30A
开关能量：
919µJ（开），814µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/54ns
测试条件：
300V，30A，7 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
IGBT 600V 48A 235W TO3P

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