SGH20N60RUFD中文资料分立，短路额定 IGBT数据手册ONSEMI规格书

厂商型号	SGH20N60RUFD
参数属性	SGH20N60RUFD 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 32A 195W TO3P
功能描述	分立，短路额定 IGBT IGBT 600V 32A 195W TO3P
封装外壳	TO-3P-3，SC-65-3
制造商	ONSEMI ON Semiconductor
中文名称	安森美半导体
数据手册	原厂下载下载地址下载地址二
更新时间	2025-9-26 9:59:00
人工找货	SGH20N60RUFD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

SGH20N60RUFD规格书详情

描述 Description

安森美半导体的 RUFD 系列绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 提供低导通和开关损耗以及短路耐受性。RUFD 系列适用于电机控制、不中断电源 (UPS) 和通用逆变器等短路耐受性为必需特性的应用。

特性 Features

•额定短路时间 10 us，需 T C = 100°C、V GE = 15 V
•高速开关
•低饱和电压： V CE(sat) = 2.2 V，需 I C = 20 A
•高输入阻抗
•CO-PAK、IGBT 及 FRD： t rr = 50 ns（典型值）

应用 Application

• 工业级电机

简介

SGH20N60RUFD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的SGH20N60RUFD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

产品编号：
SGH20N60RUFDTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，20A
开关能量：
524µJ（开），473µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/48ns
测试条件：
300V，20A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
IGBT 600V 32A 195W TO3P

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