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SGH20N60RUFD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
SGH20N60RUFD |
| 参数属性 | SGH20N60RUFD 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 32A 195W TO3P |
| 功能描述 | 分立，短路额定 IGBT |
| 封装外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找货 | SGH20N60RUFD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SGH20N60RUFD规格书详情
描述 Description
安森美半导体的 RUFD 系列绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 提供低导通和开关损耗以及短路耐受性。RUFD 系列适用于电机控制、不中断电源 (UPS) 和通用逆变器等短路耐受性为必需特性的应用。
特性 Features
•额定短路时间 10 us，需 T C = 100°C、V GE = 15 V
•高速开关
•低饱和电压： V CE(sat) = 2.2 V，需 I C = 20 A
•高输入阻抗
•CO-PAK、IGBT 及 FRD： t rr = 50 ns（典型值）
应用 Application
• 工业级电机
简介
SGH20N60RUFD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的SGH20N60RUFD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
SGH20N60RUFDTU
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，20A
- 开关能量：
524µJ（开），473µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/48ns
- 测试条件：
300V，20A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装：
TO-3P
- 描述：
IGBT 600V 32A 195W TO3P
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO3P |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
TO-3P |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
14+ |
TO3P |
5000 |
原装现货价格有优势量大可以发货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO-3P |
1709 |
询价 | |||
FSC |
08+ |
TO-247 |
26857 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
4500 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2223+ |
TO-3P |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO3P |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FSC |
24+ |
TO-3P |
6520 |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
询价 | ||
Freescale(飞思卡尔) |
24+ |
标准封装 |
18663 |
我们只是原厂的搬运工 |
询价 |
