SGH10N60RUFD中文资料600V，10A 短路额定 IGBT数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

安森美半导体的 RUFD 系列绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 提供低导通和开关损耗以及短路耐受性。RUFD 系列适用于电机控制、不中断电源 (UPS) 和通用逆变器等短路耐受性为必需特性的应用。

特性 Features

•额定短路时间 10 us，需 T C = 100°C、V GE = 15 V
•高速开关
•低饱和电压： V CE(sat) = 2.2 V，需 I C = 10 A
•高输入阻抗
•CO-PAK、IGBT 及 FRD： trr=42 ns（典型值）

应用 Application

• 工业级电机

简介

SGH10N60RUFD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的SGH10N60RUFD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。