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SGW30N60	文件：367.38 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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SGW30N60HS	文件：389.58 Kbytes Page：12 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration HighSpeedIGBTinNPT-technology •30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforoperationabove30kHz •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SIHA30N60AEL	文件：119.64 Kbytes Page：7 Pages	ELSeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHB30N60E	文件：199.83 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF30N60E	文件：171.33 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF30N60E	文件：163.07 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF30N60E	文件：184.07 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF30N60E	文件：319.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

产品属性

产品编号：
NGTB30N60FLWG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
散装
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，30A
开关能量：
700µJ（开），280µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
83ns/170ns
测试条件：
400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247
描述：
IGBT 600V 60A 250W TO247

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