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SGW30N60HS	文件：389.58 Kbytes Page：12 Pages	丝印：G30N60HS；Package：PG-TO-247-3；High Speed IGBT in NPT-technology 30 lower Eoff compared to previous generation High Speed IGBT in NPT-technology • 30 lower Eoff compared to previous generation • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for operation above 30 kHz • NPT-Technology for 600V applications offers: - parallel switching capability - moderate Eoff increase with temperature - very tigh 文件：389.58 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SGW30N60HSFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 41A 250W TO247-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SIHA30N60AEL	文件：119.64 Kbytes Page：7 Pages	EL Series Power MOSFET 文件：119.64 Kbytes 页数：7 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHB30N60E	文件：199.83 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET 文件：199.83 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHF30N60E	文件：184.07 Kbytes Page：8 Pages	E Series Power MOSFET 文件：184.07 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

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更多SGW30N60HS供应商更新时间2026-1-26 9:38:00