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SGW30N60HS分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
SGW30N60HS |
| 参数属性 | SGW30N60HS 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 41A 250W TO247-3 |
| 功能描述 | High Speed IGBT in NPT-technology 30 lower Eoff compared to previous generation |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | PG-TO-247-3 / TO-247-3 |
| 文件大小 |
389.58 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 16:30:00 |
| 人工找货 | SGW30N60HS价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SGW30N60HS规格书详情
SGW30N60HS属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的SGW30N60HS晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
High Speed IGBT in NPT-technology
• 30 lower Eoff compared to previous generation
• Short circuit withstand time – 10 µs
• Designed for operation above 30 kHz
• NPT-Technology for 600V applications offers:
- parallel switching capability
- moderate Eoff increase with temperature
- very tight parameter distribution
• High ruggedness, temperature stable behaviour
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Qualified according to JEDEC1
for target applications
• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/
产品属性
更多- 产品编号：
SGW30N60HSFKSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.15V @ 15V，30A
- 开关能量：
1.15mJ
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
20ns/250ns
- 测试条件：
400V，30A，11 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
PG-TO247-3-1
- 描述：
IGBT 600V 41A 250W TO247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
infineon |
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