选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市中联芯电子有限公司12年
留言
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ON/FSCTO-3P |
300 |
06+ |
有挂就有货原装正品 |
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深圳市佳杰伟业科技有限公司12年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P |
15000 |
2412+ |
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司13年
留言
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FAIRCHILDTO-3PN |
66500 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司13年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P |
80000 |
2410+ |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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ONNA |
6800 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司13年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-247 |
39197 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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深圳市一线半导体有限公司17年
留言
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FAIRCHILTO-3P |
8866 |
24+ |
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瀚佳科技(深圳)有限公司5年
留言
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FAIRCHILDTO-247 |
36500 |
24+ |
原装现货/放心购买 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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FAIRCHILDTO-247 |
6523 |
2016+ |
只做进口原装现货!或订货假一赔十! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司7年
留言
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FAIRCTO-3P |
16800 |
24+ |
绝对原装进口现货 假一赔十 价格优势!? |
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深圳市赛美科科技有限公司10年
留言
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FSCTO-3P |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市创新迹电子有限公司2年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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仙童TO-247 |
900 |
06+ |
原装 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司4年
留言
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FAIRCHILTO-3P |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO247 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司12年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-247 |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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深圳市永贝尔科技有限公司8年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO247 |
10880 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司11年
留言
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FAIRCHILTO-3P |
12300 |
25+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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FAIRCHILDTO-3P |
6500 |
25+ |
十七年专营原装现货一手货源,样品免费送 |
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SGH30N60RUFDTU价格
SGH30N60RUFDTU价格:¥23.4424品牌:FAIRCHILD
生产厂家品牌为FAIRCHILD的SGH30N60RUFDTU多少钱,想知道SGH30N60RUFDTU价格是多少?参考价:¥23.4424。这里提供2025年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SGH30N60RUFDTU批发价格及采购报价,SGH30N60RUFDTU销售排行榜及行情走势,SGH30N60RUFDTU报价。
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SGH30N60RUFD 深圳市华亚科宇半导体有限公司
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SGH30N60RUFD中文资料Alldatasheet PDF
更多SGH30N60RUF制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT
SGH30N60RUFDTU功能描述:IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
SGH30N60RUFTU功能描述:IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube