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NGD8201AN	文件：270.29 Kbytes Page：8 Pages	Gate?묮mitter ESD Protection Description This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over−Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current s 文件：270.29 Kbytes 页数：8 Pages	LITTELFUSE 力特	LITTELFUSE
NGD8201AN	文件：125.66 Kbytes Page：8 Pages	Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel DPAK 文件：125.66 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGD8201ANT4G	文件：125.66 Kbytes Page：8 Pages	Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel DPAK 文件：125.66 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGD8201B	文件：1.39082 Mbytes Page：6 Pages	Ideal for Coil?뭥n?뭁lug Applications 文件：1.39082 Mbytes 页数：6 Pages	LITTELFUSE 力特	LITTELFUSE
NGD8201N	文件：110.72 Kbytes Page：7 Pages	Ignition IGBT 文件：110.72 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGD8201N	文件：147.84 Kbytes Page：7 Pages	Ignition IGBT 文件：147.84 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGD8201N_12	文件：125.66 Kbytes Page：8 Pages	Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel DPAK 文件：125.66 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGD8201NT4	文件：147.84 Kbytes Page：7 Pages	Ignition IGBT 文件：147.84 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGD8201NT4	文件：110.72 Kbytes Page：7 Pages	Ignition IGBT 文件：110.72 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGD8201NT4G	文件：147.84 Kbytes Page：7 Pages	Ignition IGBT 文件：147.84 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Collector Current-Continuous ICmax (A)：
20
VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)：
1.3
EAS - Single Pulse Collector-to-Emitter Avalanche Energy：
250
Max Power Dissipation (W)：
125

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