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NGD8201NT4G分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NGD8201NT4G |
| 参数属性 | NGD8201NT4G 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 440V 20A 125W DPAK |
| 功能描述 | Ignition IGBT |
| 文件大小 |
147.84 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-28 9:37:00 |
NGD8201NT4G规格书详情
NGD8201NT4G属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。安森美半导体公司制造生产的NGD8201NT4G晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号：
NGD8201NT4G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 4.5V，20A
- 输入类型：
逻辑
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-/5µs
- 测试条件：
300V，9A，1 千欧，5V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
IGBT 440V 20A 125W DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
6000 |
面议 |
19 |
DPAK4LEAD |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO252 |
20000 |
原厂原装正品现货 |
询价 | ||
ON |
21+ |
TO-252 |
35200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
22+ |
DPAK3 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
TO-252 |
27750 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
ON |
TO252 |
19776 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
PTIF |
1501160001 |
35 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | |||
ON/安森美 |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
ON/LITTELFUSE |
22+ |
TO-252 |
25800 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2024+实力库存 |
TO-252 |
400 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 |
