NGD8201N分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NGD8201N |
| 参数属性 | NGD8201N 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 440V 20A 125W DPAK |
| 功能描述 | Ignition IGBT |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
147.84 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-22 19:12:00 |
| 人工找货 | NGD8201N价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NGD8201N规格书详情
NGD8201N属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由安森美半导体公司制造生产的NGD8201N晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
NGD8201NT4G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 4.5V，20A
- 输入类型：
逻辑
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-/5µs
- 测试条件：
300V，9A，1 千欧，5V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
IGBT 440V 20A 125W DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
2023+ |
NA |
2020 |
全新原装正品,优势价格 |
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ON |
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ON/安森美 |
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ON |
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ON/安森美 |
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SOT-252 |
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ON |
24+ |
DPAK4LEADSingleG |
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ON/安森美 |
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TO252 |
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