NGD8201N 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	面议

厂家型号：
NGD8201N
产品分类：
芯片
生产厂商：
ON/安森美
库存数量：
505348
产品封装：
TO-252
生产批号：
24+
库存类型：
优势库存
更新时间：
2025-8-1 17:06:00

数据手册更多货源

详细信息
规格书下载

原厂料号：NGD8201N品牌：ON/安森美

免费送样原盒原包现货一手渠道联系

NGD8201N是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ON/安森美/onsemi生产封装TO-252/TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63的NGD8201N晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
NGD8201N
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
7 页
文件大小：
147.84 kb
资料说明：
Ignition IGBT

产品属性

类型
描述
产品编号：
NGD8201NT4G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 4.5V，20A
输入类型：
逻辑
25°C 时 Td（开/关）值：
-/5µs
测试条件：
300V，9A，1 千欧，5V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
IGBT 440V 20A 125W DPAK

供应商

企业：
深圳市汇莱威科技有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
朱小姐
手机：
18126328660
询价：
电话：
0755-82767689
地址：
深圳市福田区华富路1046号华康大夏2栋503

NGD8201N 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

NGD8201N

产品属性

供应商

相关型号

相近型号