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NGD8201NT4G

Ignition IGBT

文件:147.84 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGD8201NT4G

Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel DPAK

文件:125.66 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGD8201NT4G

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 440V 20A 125W DPAK

ONSEMI

安森美半导体

NGD8201NT4

Ignition IGBT

文件:147.84 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGD8201NT4

Ignition IGBT

文件:110.72 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NGD8201NT4G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 4.5V,20A

  • 输入类型:

    逻辑

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    -/5µs

  • 测试条件:

    300V,9A,1 千欧,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT 440V 20A 125W DPAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ONSEMI/安森美
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更多NGD8201NT4G供应商 更新时间2025-12-1 19:22:00