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NGD8201NT4G分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NGD8201NT4G |
| 参数属性 | NGD8201NT4G 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 440V 20A 125W DPAK |
| 功能描述 | Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel DPAK |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
125.66 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-4 11:30:00 |
| 人工找货 | NGD8201NT4G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NGD8201NT4G规格书详情
NGD8201NT4G属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由安森美半导体制造生产的NGD8201NT4G晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
NGD8201NT4G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 4.5V，20A
- 输入类型：
逻辑
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-/5µs
- 测试条件：
300V，9A，1 千欧，5V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
IGBT 440V 20A 125W DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/LITTELFUSE |
22+ |
TO-252 |
25800 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON |
24+ |
SOT-252 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-252 |
27750 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
400 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-252 |
4500 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO252 |
32732 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2447 |
SOT-252 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
23+ |
DPAK3 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
