Gate?묮mitter ESD Protection

Description This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over−Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current s

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Littelfuse

力特

Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel DPAK

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ONSEMI

安森美半导体

Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel DPAK

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ONSEMI

安森美半导体

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安森美半导体

点火IGBT电源半导体

这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管（IGBT）配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路，可用于感应线圈驱动器应用。 主要用途包括点火、直接燃油喷射或需要高压与高电流切换的应用。 ·DPAK封装占用空间小，可增加电路板空间\n·栅极发射极ESD保护\n·温度补偿型栅极集电极电压钳位限制应用于载荷的应力\n·集成ESD二极管保护\n·低阈值电压将电源载荷接入逻辑或微处理器设备中\n·低饱和电压\n·高脉冲电流能力\n·选配栅极电阻（RG）和栅极发射极电阻（RGE）\n·提供无铅封装;

Littelfuse

力特

Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 440V 20A 125W DPAK

Littelfuse Inc.