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NGD8201AN	文件：270.29 Kbytes Page：8 Pages	Gate?묮mitter ESD Protection Description ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver−Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvoltageandhighcurrents	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
NGD8201AN	文件：125.66 Kbytes Page：8 Pages	Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGD8201ANT4G	文件：125.66 Kbytes Page：8 Pages	Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGD8201ANT4G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 440V 20A 125W DPAK	Littelfuse Inc. Littelfuse Inc.	Littelfuse Inc.
NGD8201B	文件：1.39082 Mbytes Page：6 Pages	IdealforCoil?뭥n?뭁lugApplications	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
NGD8201N	文件：147.84 Kbytes Page：7 Pages	IgnitionIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGD8201N	文件：110.72 Kbytes Page：7 Pages	IgnitionIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
OMA8201SF	文件：18.48 Kbytes Page：2 Pages	DUALHIGHPOWER,HIGHCURRENTOPERATIONALAMPLIFIERMODULE [Omnirel] DESCRIPTION TheOMA8201SFisahighperformancehybridintegratedcircuitwhichcontainstwo(2)uncommittedpoweramplifiersandtwo(2)highpowersenseresistors.Thedeviceisideallysuitedforhighdensityandhighreliabilitysystems.Thesenseresistorcanbecustomizedforspe	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
PAM8201	文件：100.76 Kbytes Page：4 Pages	Tiny1.2WattClass-DAudioAmplifiers	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
PL8201	文件：377.55 Kbytes Page：4 Pages	MILITARY/AEROSPACE	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse

详细参数

型号：
NGD8201AN
功能描述：
IGBT 晶体管 NGD8201ANT4G GEN4 IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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