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NGD8201B

Ideal for Coil?뭥n?뭁lug Applications

文件:1.39082 Mbytes 页数:6 Pages

Littelfuse

力特

NGD8201BNT4G

点火IGBT

这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管(IGBT)配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路,可用于感应线圈驱动器应用。 主要用途包括点火、直接燃油喷射或需要高压与高电流切换的应用。 • DPAK封装占用空间小,可增加电路板空间\n• 栅极发射极ESD保护\n• 温度补偿型栅极集电极电压钳位限制应用于载荷的应力\n• 集成ESD二极管保护\n• 低阈值电压将电源载荷接入逻辑或微处理器设备中\n• 低饱和电压\n• 高脉冲电流能力\n• 选配栅极电阻(RG)和栅极发射极电阻(RGE)\n• 提供无铅封装;

Littelfuse

力特

NGD8201BNT4G

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 400V 20A 125W DPAK-3

Littelfuse Inc.

Littelfuse Inc.

NGD8201N

Ignition IGBT

文件:110.72 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGD8201N

Ignition IGBT

文件:147.84 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

OMA8201SF

DUAL HIGH POWER, HIGH CURRENT OPERATIONAL AMPLIFIER MODULE

[Omnirel] DESCRIPTION The OMA8201SF is a high performance hybrid integrated circuit which contains two (2) uncommitted power amplifiers and two (2) high power sense resistors. The device is ideally suited for high density and high reliability systems. The sense resistor can be customized for spe

文件:18.48 Kbytes 页数:2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

技术参数

  • Collector Current-Continuous ICmax (A):

    20

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V):

    1.5

  • EAS - Single Pulse Collector-to-Emitter Avalanche Energy:

    435

  • Max Power Dissipation (W):

    115

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更多NGD8201B供应商 更新时间2025-10-10 9:18:00