NGD8201BNT4G

点火IGBT; • DPAK封装占用空间小，可增加电路板空间\n• 栅极发射极ESD保护\n• 温度补偿型栅极集电极电压钳位限制应用于载荷的应力\n• 集成ESD二极管保护\n• 低阈值电压将电源载荷接入逻辑或微处理器设备中\n• 低饱和电压\n• 高脉冲电流能力\n• 选配栅极电阻（RG）和栅极发射极电阻（RGE）\n• 提供无铅封装\n;

这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管（IGBT）配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路，可用于感应线圈驱动器应用。 主要用途包括点火、直接燃油喷射或需要高压与高电流切换的应用。\n

NGD8201BNT4G

Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 400V 20A 125W DPAK-3

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