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NGD8201BNT4G数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

NGD8201BNT4G

参数属性

NGD8201BNT4G 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 400V 20A 125W DPAK-3

功能描述

点火IGBT

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名称

力特 力特公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 16:01:00

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NGD8201BNT4G规格书详情

描述 Description

这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管(IGBT)配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路,可用于感应线圈驱动器应用。 主要用途包括点火、直接燃油喷射或需要高压与高电流切换的应用。

特性 Features

• DPAK封装占用空间小,可增加电路板空间
• 栅极发射极ESD保护
• 温度补偿型栅极集电极电压钳位限制应用于载荷的应力
• 集成ESD二极管保护
• 低阈值电压将电源载荷接入逻辑或微处理器设备中
• 低饱和电压
• 高脉冲电流能力
• 选配栅极电阻(RG)和栅极发射极电阻(RGE)
• 提供无铅封装

应用 Application

• 点火系统
• 直接燃油喷射
• 点火线圈
• 驱动线圈

技术参数

  • 制造商编号

    :NGD8201BNT4G

  • 生产厂家

    :Littelfuse

  • Collector Current-Continuous ICmax (A)

    :20

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

    :1.5

  • EAS - Single Pulse Collector-to-Emitter Avalanche Energy

    :435

  • Max Power Dissipation (W)

    :115

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Littelfuse Inc.
22+
DPAK
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TO-252
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