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NGD18N45CLBT4G中文资料点火IGBT电源半导体数据手册Littelfuse规格书

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厂商型号

NGD18N45CLBT4G

参数属性

NGD18N45CLBT4G 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 500V 18A DPAK

功能描述

点火IGBT电源半导体

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名称

力特 力特公司

数据手册

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更新时间

2025-9-27 22:59:00

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NGD18N45CLBT4G规格书详情

描述 Description

这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管(IGBT)配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路,可用于感应线圈驱动器应用。 主要用途包括点火、直接燃油喷射或需要高压与高电流切换的应用。

特性 Features

·DPAK封装占用空间小并可增加电路板空间
·温度补偿型栅极集电极电压钳位限制应用于载荷的应力
·集成栅极发射极ESD保护
·低阈值电压将电源载荷接入逻辑级微处理器设备中
·低饱和电压
·高脉冲电流能力
·针对短路保护的发射极镇流
·该设备不含铅

应用 Application

·点火系统

技术参数

  • 制造商编号

    :NGD18N45CLBT4G

  • 生产厂家

    :Littelfuse

  • Collector Current-Continuous ICmax (A)

    :18

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

    :2.07

  • EAS - Single Pulse Collector-to-Emitter Avalanche Energy

    :360

  • Max Power Dissipation (W)

    :115

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