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NGD18N40ACLBT4G数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
NGD18N40ACLBT4G |
| 参数属性 | NGD18N40ACLBT4G 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 430V 15A 115W DPAK-3 |
| 功能描述 | 点火IGBT电源半导体 |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | Littelfuse littelfuse |
| 中文名称 | 力特 力特公司 |
| 原厂标识 | Littelfuse |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 12:29:00 |
| 人工找货 | NGD18N40ACLBT4G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NGD18N40ACLBT4G规格书详情
描述 Description
这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管（IGBT）配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路，可用于感应线圈驱动器应用。 主要用途包括点火、直接燃油喷射或需要高压与高电流切换的应用。 此设备相比标准DPAK点火IGBT设备NGD15N41CLT4得到显著强化。 该设备具有更高的非钳位感应开关（UIS）能量与更低的集电极-发射极饱和电压Vce(on)。
特性 Features
·DPAK封装占用空间小并可增加电路板空间
·新设计可提高每个区域的非钳位感应开关（UIS）能量
·温度补偿型栅极集电极电压钳位限制应用于载荷的应力
·集成栅极发射极ESD保护
·低阈值电压将电源载荷接入逻辑级微处理器设备中
·低饱和电压
·高脉冲电流能力
·选配栅极电阻和栅极发射极电阻
·针对短路保护的发射极镇流
应用 Application
·点火系统
技术参数
- 制造商编号
：NGD18N40ACLBT4G
- 生产厂家
：Littelfuse
- Collector Current-Continuous ICmax (A)
：18
- VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
：1.8
- EAS - Single Pulse Collector-to-Emitter Avalanche Energy
：400
- Max Power Dissipation (W)
：115
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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