NGB8207AN数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
NGB8207AN |
参数属性 | NGB8207AN 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 365V 20A 165W D2PAK3 |
功能描述 | Ignition IGBT 20 A, 365 V, N−Channel D2PAK |
封装外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 22:58:00 |
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NGB8207AN规格书详情
简介
NGB8207AN属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的NGB8207AN晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
NGB8207ANT4G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.2V @ 3.7V,10A
- 输入类型:
逻辑
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:
D²PAK
- 描述:
IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2016+ |
TO263 |
12833 |
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ON/安森美 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
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TO263 |
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TO-263 |
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ON |
24+ |
TO263 |
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ON |
TO263 |
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TO-263 |
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TO263 |
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