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NGB8204N数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

NGB8204N

参数属性

NGB8204N 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 430V 18A 115W D2PAK

功能描述

Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
IGBT 430V 18A 115W D2PAK

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 9:14:00

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NGB8204N规格书详情

简介

NGB8204N属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的NGB8204N晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    NGB8204NT4G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 4V,15A

  • 输入类型:

    逻辑

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D²PAK

  • 描述:

    IGBT 430V 18A 115W D2PAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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