首页>NGB18N40ACLBT4G>规格书详情
NGB18N40ACLBT4G数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
NGB18N40ACLBT4G |
参数属性 | NGB18N40ACLBT4G 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 430V 18A 115W D2PAK3 |
功能描述 | 点火IGBT电源半导体 |
封装外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
制造商 | Littelfuse littelfuse |
中文名称 | 力特 力特公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 10:36:00 |
人工找货 | NGB18N40ACLBT4G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
NGB18N40ACLBT4G规格书详情
描述 Description
这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管(IGBT)配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路,可用于感应线圈驱动器应用。 主要用途包括点火、直接燃油喷射或需要高电压与高电流切换的应用。
特性 Features
·点火线圈应用的理想选择
·新设计可提高每个区域的非钳位感应开关(UIS)能量
·温度补偿型栅极集电极电压钳位限制应用于载荷的应力
·集成栅极发射极ESD保护
·低阈值电压将电源载荷接入逻辑级微处理器设备中
·低饱和电压
·高脉冲电流能力
·选配栅极电阻和栅极发射极电阻
应用 Application
·点火系统
技术参数
- 制造商编号
:NGB18N40ACLBT4G
- 生产厂家
:Littelfuse
- Collector Current-Continuous ICmax (A)
:18
- VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
:1.8
- EAS - Single Pulse Collector-to-Emitter Avalanche Energy
:400
- Max Power Dissipation (W)
:115
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
Littelfuse Inc. |
22+ |
D2PAK |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-263 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO263 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
询价 | ||
ON |
2016+ |
TO263 |
16393 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO263 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Littelfuse |
24+ |
NA |
3311 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
73000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
16+ |
TO263 |
8000 |
原装现货请来电咨询 |
询价 |