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NGB8207AN

Ignition IGBT 20 A, 365 V, N?묬hannel D2PAK

文件:153.96 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB8207AN_11

Ignition IGBT 20 A, 365 V, N.Channel D2PAK

文件:125.9 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB8207ANT4G

Ignition IGBT 20 A, 365 V, N.Channel D2PAK

文件:125.9 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB8207ANT4G

Ignition IGBT 20 A, 365 V, N?묬hannel D2PAK

文件:153.96 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB8207AN

Ignition IGBT 20 A, 365 V, N−Channel D2PAK

ONSEMI

安森美半导体

NGB8207ANT4G

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 365V 20A 165W D2PAK3

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NGB8207AN

  • 制造商:

    ONSEMI

  • 制造商全称:

    ON Semiconductor

  • 功能描述:

    Ignition IGBT 20 A, 365 V, N−Channel D2PAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON
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TO-263
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JINGDAO/晶导微
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ON/安森美
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Dsup2supPAK-3
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ON/安森美
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TO-263
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TO-263
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TO263
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24+
TO263
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全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!
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更多NGB8207AN供应商 更新时间2026-1-24 10:45:00