Ignition IGBT, 18 A, 400 V N.Channel DPAK

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ONSEMI

安森美半导体

Ideal for Coil?뭥n?뭁lug Applications

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LITTELFUSE

力特

Ignition IGBT, 18 A, 400 V N.Channel DPAK

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ONSEMI

安森美半导体

Ignition IGBT, 18 A, 400 V N.Channel DPAK

ONSEMI

安森美半导体

点火IGBT电源半导体

这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管（IGBT）配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路，可用于感应线圈驱动器应用。 主要用途包括点火、直接燃油喷射或需要高压与高电流切换的应用。 此设备相比标准DPAK点火IGBT设备NGD15N41CLT4得到显著强化。 该设备具有更高的非钳位感应开关（UIS）能量与更低的集电极-发射极饱和电压Vce(on)。 ·DPAK封装占用空间小并可增加电路板空间\n·新设计可提高每个区域的非钳位感应开关（UIS）能量\n·温度补偿型栅极集电极电压钳位限制应用于载荷的应力\n·集成栅极发射极ESD保护\n·低阈值电压将电源载荷接入逻辑级微处理器设备中\n·低饱和电压\n·高脉冲电流能力\n·选配栅极电阻和栅极发射极电阻\n·针对短路保护的发射极镇流;

Littelfuse

力特

Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 430V 15A 115W DPAK-3

LITTELFUSE

力特