Ignition IGBT 20 A, 365 V, N.Channel D2PAK

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ONSEMI

安森美半导体

Gate?묮mitter ESD Protection

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LITTELFUSE

力特

Ignition IGBT 20 A, 365 V, N.Channel D2PAK

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ONSEMI

安森美半导体

Ignition IGBT 20 A, 365 V, N.Channel D2PAK

ONSEMI

安森美半导体

点火IGBT电源半导体

这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管（IGBT）配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路，可用于感应线圈驱动器应用。 主要用途包括点火、直接燃油喷射或需要高压与高电流切换的应用。 ·点火线圈和驱动线圈应用的理想选择\n·栅极发射极ESD保护\n·温度补偿型栅极集电极电压钳位限制应用于载荷的应力\n·集成ESD二极管保护\n·低阈值电压将电源载荷接入逻辑或微处理器设备中\n·低饱和电压\n·高脉冲电流能力\n·栅极电阻（RG） = 70 Ω;

Littelfuse

力特

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 365V 20A 165W D2PAK3

LITTELFUSE

力特