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NGB8207BNT4G数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
NGB8207BNT4G |
| 参数属性 | NGB8207BNT4G 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 365V 20A 165W D2PAK3 |
| 功能描述 | 点火IGBT电源半导体 |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 制造商 | Littelfuse littelfuse |
| 中文名称 | 力特 力特公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 22:58:00 |
| 人工找货 | NGB8207BNT4G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NGB8207BNT4G规格书详情
描述 Description
这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管（IGBT）配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路，可用于感应线圈驱动器应用。 主要用途包括点火、直接燃油喷射或需要高压与高电流切换的应用。
特性 Features
·点火线圈和驱动线圈应用的理想选择
·栅极发射极ESD保护
·温度补偿型栅极集电极电压钳位限制应用于载荷的应力
·集成ESD二极管保护
·低阈值电压将电源载荷接入逻辑或微处理器设备中
·低饱和电压
·高脉冲电流能力
·栅极电阻（RG） = 70 Ω
应用 Application
·点火系统
技术参数
- 制造商编号
：NGB8207BNT4G
- 生产厂家
：Littelfuse
- Collector Current-Continuous ICmax (A)
：20
- VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
：1.5
- EAS - Single Pulse Collector-to-Emitter Avalanche Energy
：500
- Max Power Dissipation (W)
：165
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2016+ |
TO263 |
16292 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
24+ |
TO263 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | ||
ON/LITTELFUSE |
22+ |
TO-263 |
12500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO263 |
12000 |
原装正品 假一罚十 可拆样 |
询价 | ||
ON |
TO263 |
16292 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
ON |
20+ |
TO263 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
LITTELFUSE/力特 |
2410+ |
TO-263 |
3200 |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
询价 | ||
Littelfuse Inc. |
22+ |
D2PAK |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
