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NGB8207ABN中文资料Ignition IGBT 20 A, 365 V, N.Channel D2PAK数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NGB8207ABN

参数属性

NGB8207ABN 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 365V 20A D2PAK

功能描述

Ignition IGBT 20 A, 365 V, N.Channel D2PAK

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 19:00:00

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技术参数

  • 产品编号:

    NGB8207ABNT4G

  • 制造商:

    Littelfuse Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 3.7V,10A

  • 输入类型:

    逻辑

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 365V 20A D2PAK

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