NGB8207N数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
NGB8207N |
| 参数属性 | NGB8207N 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 365V 20A 165W D2PAK |
| 功能描述 | Ignition IGBT 20 A, 365 V, N−Channel D2PAK |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
| 人工找货 | NGB8207N价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NGB8207N规格书详情
简介
NGB8207N属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的NGB8207N晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
NGB8207NT4G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 4V，20A
- 输入类型：
逻辑
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
D²PAK
- 描述：
IGBT 365V 20A 165W D2PAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
3336 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ON |
2016+ |
TO263 |
14822 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
24+ |
TO263 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | ||
ON/LITTELFUSE |
22+ |
TO-263 |
12500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON |
23+ |
NA |
809 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
Dsup2sup |
27750 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
ON |
6000 |
面议 |
19 |
D2PAK3LEAD |
询价 | ||
ON |
TO263 |
14822 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 |
