NGB8206N数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
NGB8206N |
| 参数属性 | NGB8206N 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 390V 20A 150W D2PAK |
| 功能描述 | Ignition IGBT 20 A, 350 V, N−Channel D2PAK |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
| 人工找货 | NGB8206N价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NGB8206N规格书详情
简介
NGB8206N属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的NGB8206N晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
NGB8206N
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 4.5V，20A
- 输入类型：
逻辑
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-/5µs
- 测试条件：
300V，9A，1 千欧，5V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
D²PAK
- 描述：
IGBT 390V 20A 150W D2PAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
31 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
SOT-263 |
54558 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
ON |
18+ |
TO-263 |
5600 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON/LITTELFUSE |
22+ |
TO-263 |
12500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ONS |
23+ |
NGB8206NTF4G |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-263 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-263 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-263 |
27750 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
ON |
6000 |
面议 |
19 |
D2PAK3LEAD |
询价 |
