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NGB8206N

Ignition IGBT 20 A, 350 V, N?묬hannel D2PAK

文件:118.17 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB8206N_11

Ignition IGBT 20 A, 350 V, N.Channel D2PAK

文件:130.3 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB8206NG

Ignition IGBT 20 A, 350 V, N.Channel D2PAK

文件:130.3 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB8206NG

Ignition IGBT 20 A, 350 V, N?묬hannel D2PAK

文件:118.17 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB8206NG

Ignition IGBT

文件:129.57 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB8206NT4

Ignition IGBT 20 A, 350 V, N?묬hannel D2PAK

文件:118.17 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB8206NT4G

Ignition IGBT 20 A, 350 V, N?묬hannel D2PAK

文件:118.17 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB8206NT4G

Ignition IGBT 20 A, 350 V, N.Channel D2PAK

文件:130.3 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB8206NT4G

Ignition IGBT

文件:129.57 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB8206NTF4G

Ignition IGBT

文件:129.57 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NGB8206N

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 4.5V,20A

  • 输入类型:

    逻辑

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    -/5µs

  • 测试条件:

    300V,9A,1 千欧,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D²PAK

  • 描述:

    IGBT 390V 20A 150W D2PAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi
25+
D2PAK
21000
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
询价
ON
24+
D2PAK3LEAD
8866
询价
ON
25+
TO263
5000
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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ON
23+
TO-263
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
询价
ON Semiconductor
22+
D2PAK
9000
原厂渠道,现货配单
询价
ON Semiconductor
2022+
D2PAK
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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ON Semiconductor
23+
D2PAK
8000
只做原装现货
询价
ON/安森美
22+
TO-263
94893
询价
onsemi
25+
TO-263-3 D?Pak(2 引线 + 接片
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
onsemi
25+
D2PAK
21000
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
询价
更多NGB8206N供应商 更新时间2026-1-27 14:46:00