NGB8206N分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
NGB8206N |
参数属性 | NGB8206N 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 390V 20A 150W D2PAK |
功能描述 | Ignition IGBT 20 A, 350 V, N?묬hannel D2PAK |
封装外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
文件大小 |
118.17 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ONSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-2 9:36:00 |
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NGB8206N规格书详情
NGB8206N属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由安森美半导体公司制造生产的NGB8206N晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号:
NGB8206N
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.9V @ 4.5V,20A
- 输入类型:
逻辑
- 25°C 时 Td(开/关)值:
-/5µs
- 测试条件:
300V,9A,1 千欧,5V
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:
D²PAK
- 描述:
IGBT 390V 20A 150W D2PAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
SOT-263 |
54558 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
ON/LITTELFUSE |
22+ |
TO-263 |
12500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
22+ |
D2PAK |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
Dsup2supPAK-3 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-263 |
27750 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-263 |
5600 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-263 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ON |
1709+ |
SOT-263 |
32500 |
普通 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-263 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
ON |
25+ |
TO263 |
3000 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 |